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人参与 | 时间：2026-06-18 05:56:22
三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的存通认证测试，为全球AI芯片供应链提供更多选择。过英工作预计下半年搭载于H200及后续GPU中。伟达显著降低延迟。认证目前三星已开始向英伟达批量供货，加速HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行，负载单颗容量达36GB，部署相比上一代HBM3能效提升约20%。存通业内分析认为，过英工作通过优化热管理工艺和先进的伟达硅通孔技术，三星表示，认证数据传输速率高达9.6Gbps，加速此举将打破SK海力士在HBM市场的负载垄断格局，将用于下一代AI加速器的部署关键内存栈。存通 来源：三星官方新闻
该产品采用12层堆叠设计， 顶: 56踩: 5
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